Imprimir página
BSC009NE2LSATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 25 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSC009NE2LSATMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante51 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)50Y1791RL
Cinta adhesiva50Y1791
También conocido comoBSC009NE2LS, SP000893362
Su número de pieza
8,372 En Stock
¿Necesita más?
Entrega en 4-6 días hábiles(UK stock)
Haga el pedido antes de las 6 p.m. EST para un envío normal
Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $2.390 | $2.39 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $2.39 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.390 |
| 50+ | $1.160 |
| 100+ | $1.040 |
| 250+ | $0.933 |
| 500+ | $0.827 |
| 1000+ | $0.810 |
| 2500+ | $0.794 |
| 5000+ | $0.777 |
nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSC009NE2LSATMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante51 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)50Y1791RL
Cinta adhesiva50Y1791
También conocido comoBSC009NE2LS, SP000893362
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds25
Intensidad Drenador Continua Id100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente900µohm
Resistencia de Activación Rds(on)750µohm
Diseño de TransistorTDSON
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd96W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.2
Disipación de Potencia96
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
The BSC009NE2LS is a N-channel Power MOSFET features high DC and pulsed current capability. With the new OptiMOS™ 25V product family, Infineon sets new standards in power density and energy efficiency. Lowest ON-state resistance in small footprint packages, make OptiMOS™ 25V the best choice for the demanding requirements of battery management, O-ring, e-fuse and HOT-SWAP application. The package has a standard footprint that allows thinner and smaller application solutions compared to the IPB009N03LS.
- Lowest ON-state resistance
- High DC and pulsed current capability
- Easy to design-in
- Increased battery lifetime/system efficiency
- Saving space (reducing the number of devices needed)
- 100% Avalanche tested
- Superior thermal resistance
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Halogen-free, Green device
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
25
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
900µohm
Diseño de Transistor
TDSON
Disipación de Potencia Pd
96W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.2
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
100
Resistencia de Activación Rds(on)
750µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
96
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza BSC009NE2LSATMA1
5 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto