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BSC010N04LSATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 40 V, 100 A, 0.001 ohm, TDSON, Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSC010N04LSATMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante52 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)50Y1792RL
Cinta adhesiva50Y1792
También conocido comoBSC010N04LS, SP000928282
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49,267 En Stock
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $2.480 | $2.48 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $2.48 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.480 |
| 50+ | $1.390 |
| 100+ | $1.290 |
| 250+ | $1.220 |
| 500+ | $1.140 |
| 1000+ | $1.120 |
| 2500+ | $1.100 |
| 5000+ | $1.080 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSC010N04LSATMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante52 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)50Y1792RL
Cinta adhesiva50Y1792
También conocido comoBSC010N04LS, SP000928282
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40
Intensidad Drenador Continua Id100
Resistencia de Activación Rds(on)850µohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.001
Diseño de TransistorTDSON
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd139W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2
Disipación de Potencia139
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
The BSC010N04LS is a 40V N-channel Power MOSFET optimized for synchronous rectification. This MOSFET features not only the industry's lowest RDS (on) but also a perfect switching behaviour for fast switching applications. 15% lower RDS (on) and 31% lower Figure of Merit (RDS (on) x Qg) compared to alternative devices has been realized by advanced thin wafer technology. Dramatically reduced gate charge and output charge enable high system efficiency and power density. The OptiMOS™ power MOSFET is ideally suited for high frequency switching and DC-DC converters.
- Highest system efficiency
- Less paralleling required
- Increased power density
- Saving space
- Very low voltage overshoot
- Superior thermal resistance
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40
Resistencia de Activación Rds(on)
850µohm
Diseño de Transistor
TDSON
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.001
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
139W
Disipación de Potencia
139
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza BSC010N04LSATMA1
5 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto