BSC028N06LS3GATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 100 A, 0.0028 ohm, PG-TDSON, Montaje Superficial
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| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $4.330 | $4.33 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $4.33 | ||
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $4.330 |
| 10+ | $2.630 |
| 25+ | $2.400 |
| 50+ | $2.170 |
| 100+ | $1.930 |
| 250+ | $1.770 |
Información del producto
Resumen del producto
El BSC028N06LS3 G es un MOSFET de potencia de canal N de 60 V optimizado para la rectificación síncrona en fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS) como las que se encuentran en servidores, computadoras de escritorio y cargadores de tabletas. El MOSFET presenta un RDS (encendido) un 40% menor que los dispositivos alternativos. La carga de la puerta y la carga de salida drásticamente reducidas permiten una alta eficiencia del sistema y una densidad de potencia. El MOSFET de potencia OptiMOS ™ es ideal para conmutación de alta frecuencia y convertidores CD-CD.
- Mayor eficiencia del sistema
- Se requiere menos paralelismo
- Aumento de la densidad de potencia
- Ahorro de espacio
- Sobreimpulso de muy bajo voltaje
- Resistencia térmica superior
Especificaciones técnicas
N Channel
60
0.0023ohm
TDSON
10
1.7
8Pines
-
MSL 1 - Unlimited
Canal N
100
0.0028
Surface Mount
139W
139
150
-
No SVHC (25-Jun-2025)
Alternativas para el número de pieza BSC028N06LS3GATMA1
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Legislación y medioambiente
RoHS
RoHS
Certificado de conformidad del producto