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BSC050N10NS5ATMA1
MOSFET, CANAL N, 100V, 100A, PG-TDSON
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSC050N10NS5ATMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante10 semanas
No. Parte Newark38AJ3424
Rango de ProductoOptiMOS 5
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id100A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente5000µohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTDSON
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3V
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia136W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoOptiMOS 5
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
5000µohm
Diseño de Transistor
TDSON
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
OptiMOS 5
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
100A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3V
Disipación de Potencia
136W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto