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BSC060P03NS3EGATMA1
MOSFET de Potencia, Canal P, 30 V, 110 A, 0.006 ohm, PG-TDSON, Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSC060P03NS3EGATMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante51 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK4452
Re-reeling (Rollos a medida)79X1334RL
Cinta adhesiva79X1334
También conocido comoBSC060P03NS3E G, SP000472984
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $2.020 | $2.02 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $2.02 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.020 |
| 50+ | $0.971 |
| 100+ | $0.868 |
| 250+ | $0.778 |
| 500+ | $0.687 |
| 1000+ | $0.673 |
| 2500+ | $0.659 |
| 5000+ | $0.646 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 5000+ | $0.528 |
| 15000+ | $0.486 |
| 25000+ | $0.476 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSC060P03NS3EGATMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante51 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK4452
Re-reeling (Rollos a medida)79X1334RL
Cinta adhesiva79X1334
También conocido comoBSC060P03NS3E G, SP000472984
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id110
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.006
Resistencia de Activación Rds(on)0.0041ohm
Diseño de TransistorTDSON
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd83W
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5V
Disipación de Potencia83W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación AutomotrizAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El BSC060P03NS3E G es un MOSFET de potencia de canal P OptiMOS™ que cumple constantemente con las más altas demandas de calidad y rendimiento en especificaciones clave para el diseño de sistemas de energía, como resistencia en estado ON y características de figura de mérito.
- Modo mejorado
- Nivel normal, nivel lógico o nivel superlógico
- 100% avalancha
- Protegido contra ESD
- Calificado para JEDEC para aplicaciones de destino
- Producto verde, libre de halógenos
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.006
Diseño de Transistor
TDSON
Disipación de Potencia Pd
83W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5V
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
110
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0041ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
83W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto