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BSC070N10NS5ATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 80 A, 0.007 ohm, TDSON, Montaje Superficial
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12,633 En Stock
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $2.880 | $2.88 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $2.88 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.880 |
| 10+ | $1.730 |
| 25+ | $1.560 |
| 50+ | $1.390 |
| 100+ | $1.220 |
| 250+ | $1.120 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSC070N10NS5ATMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante50 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)12AC9445
Cinta adhesiva12AC9445
Rango de ProductoOptiMOS 5
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id80
Resistencia de Activación Rds(on)0.006ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.007
Diseño de TransistorTDSON
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia Pd83W
Disipación de Potencia83
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoOptiMOS 5
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
- Transistor de potencia Optima's™ 5 de canal N
- Optimizado para SMPS de alto rendimiento
- Probado avalancha 100%
- Resistencia térmica superior
- Calificado según JEDEC para aplicaciones de destino
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia de Activación Rds(on)
0.006ohm
Diseño de Transistor
TDSON
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia Pd
83W
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
OptiMOS 5
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
80
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.007
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
Disipación de Potencia
83
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto