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BSC109N10NS3GATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 63 A, 0.0109 ohm, TDSON, Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSC109N10NS3GATMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante20 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo98AK5420
Re-reeling (Rollos a medida)47Y7998RL
Cinta adhesiva47Y7998
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| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $2.330 | $2.33 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $2.33 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.330 |
| 50+ | $1.490 |
| 100+ | $1.010 |
| 250+ | $0.906 |
| 500+ | $0.803 |
| 1000+ | $0.737 |
| 2500+ | $0.712 |
| 5000+ | $0.699 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 5000+ | $0.696 |
| 15000+ | $0.665 |
| 25000+ | $0.652 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSC109N10NS3GATMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante20 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo98AK5420
Re-reeling (Rollos a medida)47Y7998RL
Cinta adhesiva47Y7998
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id63A
Resistencia de Activación Rds(on)0.0098ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0109ohm
Diseño de TransistorTDSON
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.7V
Disipación de Potencia Pd78W
Disipación de Potencia78W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
- Transistor de potencia OptiMOS™ 3
- Carga de puerta muy baja para aplicaciones de alta frecuencia
- Optimizado para conversión CD-CD
- Canal-N, nível nominal
- Excelente carga de puerta x producto RDS (on) (FOM)
- RDS de muy baja resistencia (activado)
- Calificado según JEDEC para aplicaciones de destino
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0098ohm
Diseño de Transistor
TDSON
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
78W
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
63A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0109ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.7V
Disipación de Potencia
78W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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