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BSC150N03LDGATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 20 A, 0.015 ohm, PG-TSDSON, Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSC150N03LDGATMA1
No. Parte Newark60R2516
También conocido comoBSC150N03LD G, SP000359362
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSC150N03LDGATMA1
No. Parte Newark60R2516
También conocido comoBSC150N03LD G, SP000359362
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id20
Resistencia de Activación Rds(on)0.0125ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.015ohm
Diseño de TransistorPG-TDSON
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd26W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1
Disipación de Potencia26
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El BSC150N03LD G es un MOSFET de potencia de canal N OptiMOS™ que establece nuevos estándares en densidad de potencia y eficiencia energética. Se adapta a las necesidades de administración de energía mediante un comportamiento EMI mejorado, así como una mayor duración de la batería. Está disponible en configuración de medio puente.
- Fácil de diseñar en
- Mayor vida útil de la batería
- Comportamiento EMI mejorado que hace obsoletas las redes de amortiguadores externos
- Ahorro de espacio
- Reducir las pérdidas de energía
- Doble canal N, nivel lógico
- MOSFET de conmutación rápida para SMPS
- Tecnología optimizada para convertidores de CD a CD
- Calificado según JEDEC para aplicaciones de destino
- Excelente carga de puerta x producto RDS (ON) (FOM)
- RDS de muy baja resistencia a la conexión (ON)
- Resistencia térmica superior
- 100% prueba de avalancha
- Producto verde, libre de halógenos
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
20
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.015ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
26W
Disipación de Potencia
26
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0125ohm
Diseño de Transistor
PG-TDSON
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto