Imprimir página
BSC16DN25NS3GATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 250 V, 10.9 A, 0.165 ohm, TDSON, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSC16DN25NS3GATMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante10 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK4474
Re-reeling (Rollos a medida)50Y1814RL
Cinta adhesiva50Y1814
Su número de pieza
91 En Stock
40,000 Puede reservar stock ahora
Entrega en 4-6 días hábiles(UK stock)
Haga el pedido antes de las 6 p.m. EST para un envío normal
Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $2.720 | $2.72 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $2.72 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.720 |
| 50+ | $1.750 |
| 100+ | $1.200 |
| 250+ | $1.080 |
| 500+ | $0.957 |
| 1000+ | $0.881 |
| 2500+ | $0.863 |
| 5000+ | $0.846 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 5000+ | $0.823 |
| 10000+ | $0.792 |
nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSC16DN25NS3GATMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante10 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK4474
Re-reeling (Rollos a medida)50Y1814RL
Cinta adhesiva50Y1814
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds250V
Intensidad Drenador Continua Id10.9A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.165ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.146ohm
Diseño de TransistorTDSON
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3V
Disipación de Potencia Pd62.5W
Disipación de Potencia62.5W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
The BSC16DN25NS3 G is a N-channel Power MOSFET produce based on OptiMOS™ leading benchmark technology. It is perfectly suited for synchronous rectification in 48V systems, DC-to-DC converters, uninterruptable power supplies (UPS) and inverters.
- Industry's lowest RDS (ON)
- Lowest Qg and Qgd
- World's lowest FOM and MSL 1 rated
- Highest efficiency
- Highest Power density
- Lowest board space consumption
- Minimal device paralleling required
- Environmentally friendly
- Easy-to-design-in products
- Qualified according to JEDEC for target application
- Halogen-free, Green device
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
250V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.165ohm
Diseño de Transistor
TDSON
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
62.5W
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
10.9A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.146ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3V
Disipación de Potencia
62.5W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto