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BSC430N25NSFDATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 250 V, 36 A, 0.043 ohm, TSON, Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSC430N25NSFDATMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante17 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)42AH1625RL
Cinta adhesiva42AH1625
Rango de ProductoOptiMOS FD
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2,878 En Stock
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $5.160 | $5.16 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $5.16 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $5.160 |
| 50+ | $3.450 |
| 100+ | $3.380 |
| 250+ | $3.310 |
| 500+ | $3.240 |
| 1000+ | $3.170 |
| 2500+ | $3.110 |
| 5000+ | $3.030 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSC430N25NSFDATMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante17 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)42AH1625RL
Cinta adhesiva42AH1625
Rango de ProductoOptiMOS FD
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds250
Intensidad Drenador Continua Id36
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.043
Resistencia de Activación Rds(on)0.034ohm
Diseño de TransistorTSON
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia214
Disipación de Potencia Pd214W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoOptiMOS FD
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
250
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.043
Diseño de Transistor
TSON
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
214
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
OptiMOS FD
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
36
Resistencia de Activación Rds(on)
0.034ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
Disipación de Potencia Pd
214W
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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