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BSD235CH6327XTSA1
MOSFET Dual, Canal complementario N y P, 20 V, 20 V, 950 mA, 950 mA, 0.266 ohm
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSD235CH6327XTSA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante40 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK4485
Re-reeling (Rollos a medida)47Y8000RL
Cinta adhesiva47Y8000
También conocido comoBSD235C H6327, SP000917610
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 5 | $0.530 | $2.65 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $2.65 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 5+ | $0.530 |
| 15+ | $0.324 |
| 25+ | $0.318 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 9000+ | $0.098 |
| 27000+ | $0.096 |
| 45000+ | $0.094 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSD235CH6327XTSA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante40 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK4485
Re-reeling (Rollos a medida)47Y8000RL
Cinta adhesiva47Y8000
También conocido comoBSD235C H6327, SP000917610
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalComplementary N and P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N20V
Intensidad Drenador Continua Id950mA
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N950mA
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P950mA
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.266ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.266ohm
Diseño de TransistorSOT-363
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N500mW
Disipación de Potencia de Canal P500mW
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
The BSD235C H6327 is a N/P-channel Power MOSFET within the same package are part of Infineon's famous low voltage OptiMOS™ families, the market leader in high efficiency solutions for power generation (e.g. solar micro inverter), power supply (e.g. server and telecom) and power consumption (e.g. electric vehicle). It is suitable for use with DC to Dc converters and on-board charger applications.
- Complementary P + N channel
- Enhancement-mode
- Avalanche rated
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Complementary N and P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
950mA
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
950mA
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.266ohm
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
500mW
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
20V
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
950mA
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.266ohm
Diseño de Transistor
SOT-363
Disipación de Potencia de Canal N
500mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto