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BSP171PH6327XTSA1
MOSFET de Potencia, Canal P, 60 V, 1.9 A, 0.3 ohm, SOT-223, Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSP171PH6327XTSA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante9 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK4506
Re-reeling (Rollos a medida)68AC4413RL
Cinta adhesiva68AC4413
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $1.240 | $1.24 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $1.24 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.240 |
| 50+ | $0.815 |
| 100+ | $0.578 |
| 250+ | $0.527 |
| 500+ | $0.475 |
| 1000+ | $0.465 |
| 2500+ | $0.456 |
| 5000+ | $0.446 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1000+ | $0.490 |
| 3000+ | $0.441 |
| 5000+ | $0.422 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSP171PH6327XTSA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante9 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK4506
Re-reeling (Rollos a medida)68AC4413RL
Cinta adhesiva68AC4413
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id1.9A
Resistencia de Activación Rds(on)0.21ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.3ohm
Diseño de TransistorSOT-223
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.5V
Disipación de Potencia1.8W
Disipación de Potencia Pd1.8W
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Norma de Cualificación AutomotrizAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
- Transistor de señal pequeña de canal P SIPMOS® de 60 V y 1.9A en paquete SOT-223 de 4 pines
- Modo mejorado
- Nivel lógico
- Avalancha clasificada
- Clasificado dv/dt
- Calificado según AEC-Q101
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.21ohm
Diseño de Transistor
SOT-223
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
1.8W
No. de Pines
4Pines
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
1.9A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.3ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.5V
Disipación de Potencia Pd
1.8W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza BSP171PH6327XTSA1
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto