Imprimir página
BSS192PH6327FTSA1
MOSFET de Potencia, Canal P, 250 V, 190 mA, 12 ohm, SOT-89, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSS192PH6327FTSA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante39 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)29X1533
Cinta adhesiva29X1533
Su número de pieza
902 En Stock
¿Necesita más?
Entrega en 4-6 días hábiles(UK stock)
Haga el pedido antes de las 6 p.m. EST para un envío normal
Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $1.100 | $1.10 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $1.10 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.100 |
| 10+ | $0.679 |
| 25+ | $0.598 |
| 50+ | $0.518 |
| 100+ | $0.437 |
| 250+ | $0.387 |
| 500+ | $0.334 |
nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSS192PH6327FTSA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante39 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)29X1533
Cinta adhesiva29X1533
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds250
Intensidad Drenador Continua Id190
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente12ohm
Diseño de TransistorSOT-89
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.5
Disipación de Potencia1
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz0
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
The BSS192P H6327 is an OptiMOS™ P-channel Power MOSFET consistently meets the highest quality and performance demands in key specifications for power system design such as ON-state resistance and figure of merit characteristics.
- Enhancement-mode
- Avalanche rated
- Small signal packages approved to AEC-Q101
- Logic level
- dV/dt Rated
- Halogen-free, Green device
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
250
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
SOT-89
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.5
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
190
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
12ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
1
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza BSS192PH6327FTSA1
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto