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BSS214NH6327XTSA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 20 V, 1.5 A, 0.14 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSS214NH6327XTSA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante10 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK4549
Re-reeling (Rollos a medida)68AC4430RL
Cinta adhesiva68AC4430
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.363 | $0.36 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $0.36 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.363 |
| 50+ | $0.171 |
| 100+ | $0.152 |
| 250+ | $0.135 |
| 500+ | $0.118 |
| 1000+ | $0.116 |
| 2500+ | $0.113 |
| 5000+ | $0.110 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 12000+ | $0.092 |
| 36000+ | $0.090 |
| 60000+ | $0.087 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSS214NH6327XTSA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante10 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK4549
Re-reeling (Rollos a medida)68AC4430RL
Cinta adhesiva68AC4430
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Intensidad Drenador Continua Id1.5A
Resistencia de Activación Rds(on)0.106ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.14ohm
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente950mV
Disipación de Potencia500mW
Disipación de Potencia Pd500mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Norma de Cualificación AutomotrizAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
- Transistor de señal pequeña OptiMOS™ 2 de canal N
- Modo mejorado
- Nivel súper lógico (2.5V nominal)
- Avalancha clasificada
- Calificado según AEC Q101
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.106ohm
Diseño de Transistor
SOT-23
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5V
Disipación de Potencia
500mW
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
1.5A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.14ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
950mV
Disipación de Potencia Pd
500mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto