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BSS84PH6327XTSA2
MOSFET de Potencia, Canal P, 60 V, 170 mA, 8 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSS84PH6327XTSA2Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante12 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK4572
Re-reeling (Rollos a medida)96K7114RL
Cinta adhesiva96K7114
Rango de ProductoSIPMOS Series
También conocido comoBSS84P H6327, SP000929186
Su número de pieza
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.311 | $0.31 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $0.31 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.311 |
| 50+ | $0.198 |
| 100+ | $0.129 |
| 250+ | $0.120 |
| 500+ | $0.093 |
| 1000+ | $0.083 |
| 2500+ | $0.081 |
| 5000+ | $0.080 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 18000+ | $0.064 |
| 54000+ | $0.058 |
| 90000+ | $0.057 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSS84PH6327XTSA2Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante12 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK4572
Re-reeling (Rollos a medida)96K7114RL
Cinta adhesiva96K7114
Rango de ProductoSIPMOS Series
También conocido comoBSS84P H6327, SP000929186
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id170mA
Resistencia de Activación Rds(on)8ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente8ohm
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd360mW
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.5V
Disipación de Potencia360mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoSIPMOS Series
CalificaciónAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El BSS84P H6327 de Infineon es un transistor de señal pequeña SIPMOS de modo de mejora de nivel lógico de canal P de montaje en superficie en paquete SOT-23. El dispositivo cuenta con clasificaciones dv/dt y Avalanche.
- Calificación de grado automotriz AEC-Q101
- Voltaje drenaje-fuente (Vds) de -60V
- Voltaje de compuerta a fuente de ± 20V
- Corriente continua de drenaje (Id) de -170mA
- Disipación de potencia (Pd) de 360mW
- Rango de temperatura de operación entre -55°C y 150°C
- Baja resistencia al estado de 8ohm a Vgs -4.5V
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia de Activación Rds(on)
8ohm
Diseño de Transistor
SOT-23
Disipación de Potencia Pd
360mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.5V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
SIPMOS Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
170mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
8ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
360mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza BSS84PH6327XTSA2
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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