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BSZ050N03LSGATMA1
MOSFET, N CHANNEL, 30V, 40A, PG-TSDSON
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSZ050N03LSGATMA1Copiar
No. Parte Newark60R2532
También conocido comoBSZ050N03LS G, SP000304139
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| 100+ | $0.500 |
| 500+ | $0.385 |
| 1000+ | $0.349 |
| 2500+ | $0.317 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSZ050N03LSGATMA1Copiar
No. Parte Newark60R2532
También conocido comoBSZ050N03LS G, SP000304139
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id40
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.005
Resistencia de Activación Rds(on)0.0042ohm
Diseño de TransistorPG-TSDSON
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd50W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1
Disipación de Potencia50
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El BSZ050N03LS G es un MOSFET de potencia de canal N OptiMOS™ que establece nuevos estándares en densidad de potencia y eficiencia energética. Se adapta a las necesidades de administración de energía mediante un comportamiento EMI mejorado, así como una mayor duración de la batería. Está disponible en configuración de medio puente.
- Fácil de diseñar en
- Mayor vida útil de la batería
- Comportamiento EMI mejorado que hace obsoletas las redes de amortiguadores externos
- Ahorro de espacio
- Reducir las pérdidas de energía
- Tecnología optimizada para convertidores de CD a CD
- Calificado según JEDEC para aplicaciones de destino
- Nivel lógico
- Excelente carga de puerta x producto RDS (ON) (FOM)
- RDS de muy baja resistencia a la conexión (ON)
- Resistencia térmica superior
- Avalancha clasificada
- Producto verde, libre de halógenos
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
40
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0042ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
50W
Disipación de Potencia
50
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.005
Diseño de Transistor
PG-TSDSON
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza BSZ050N03LSGATMA1
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto