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BSZ084N08NS5ATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 80 V, 40 A, 0.0084 ohm, TSDSON, Montaje Superficial
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129,055 En Stock
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $2.280 | $2.28 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $2.28 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.280 |
| 50+ | $1.090 |
| 100+ | $0.982 |
| 250+ | $0.903 |
| 500+ | $0.718 |
| 1000+ | $0.703 |
| 2500+ | $0.689 |
| 5000+ | $0.674 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 5000+ | $0.606 |
| 15000+ | $0.568 |
| 25000+ | $0.557 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSZ084N08NS5ATMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante51 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo93AK8296
Re-reeling (Rollos a medida)49AC0113RL
Cinta adhesiva49AC0113
Rango de ProductoOptiMOS 5
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds80V
Intensidad Drenador Continua Id40
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0084
Resistencia de Activación Rds(on)0.0071ohm
Diseño de TransistorTSDSON
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia63W
Disipación de Potencia Pd63W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoOptiMOS 5
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
80 V, transistor de potencia Optima's™ 5 Ideal para conmutación de alta frecuencia y rectificación síncrona.
- Tecnología optimizada para convertidores CD/CD.
- Excelente carga de puerta x producto RDS (ON) (FOM)
- RDS de muy baja resistencia (activado)
- Canal N, nivel normal
- Probado avalancha 100%
- Calificado según JEDEC para aplicaciones de destino
- Mayor confiabilidad de las juntas de soldadura con interconexión de fuente ampliada
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
80V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0084
Diseño de Transistor
TSDSON
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
63W
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
OptiMOS 5
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
40
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0071ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
Disipación de Potencia Pd
63W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza BSZ084N08NS5ATMA1
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto