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BSZ0904NSIATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 40 A, 0.004 ohm, TSDSON, Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSZ0904NSIATMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante51 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK4592
Re-reeling (Rollos a medida)50Y1836RL
Cinta adhesiva50Y1836
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 5 | $1.260 | $6.30 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $6.30 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 5+ | $1.260 |
| 10+ | $0.806 |
| 15+ | $0.737 |
| 25+ | $0.668 |
| 50+ | $0.598 |
| 125+ | $0.529 |
| 250+ | $0.473 |
| 500+ | $0.416 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 5000+ | $0.363 |
| 15000+ | $0.328 |
| 25000+ | $0.316 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSZ0904NSIATMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante51 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK4592
Re-reeling (Rollos a medida)50Y1836RL
Cinta adhesiva50Y1836
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id40A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.004
Resistencia de Activación Rds(on)0.0033ohm
Diseño de TransistorTSDSON
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2V
Disipación de Potencia Pd37W
Disipación de Potencia37W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
- MOSFET de potencia Optima's™ de canal N
- SyncFET optimizado para convertidor buck de alto rendimiento
- Diodo tipo scotty monolítico integrado
- RDS de muy baja resistencia (encendido) a VGS = 4.5V
- Probado avalancha 100%
- Resistencia térmica superior
- Calificado según JEDEC para aplicaciones de destino
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.004
Diseño de Transistor
TSDSON
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
37W
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
40A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0033ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2V
Disipación de Potencia
37W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza BSZ0904NSIATMA1
3 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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