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BSZ100N06LS3GATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 20 A, 0.01 ohm, PG-TSDSON, Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSZ100N06LS3GATMA1
No. Parte Newark47W3363
Rango de ProductoOptiMOS Series
También conocido comoBSZ100N06LS3 G, SP000453672
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSZ100N06LS3GATMA1
No. Parte Newark47W3363
Rango de ProductoOptiMOS Series
También conocido comoBSZ100N06LS3 G, SP000453672
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id20
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.01ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.008ohm
Diseño de TransistorPG-TSDSON
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd50W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.7
Disipación de Potencia50
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoOptiMOS Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Alternativas para el número de pieza BSZ100N06LS3GATMA1
2 productos encontrados
Resumen del producto
El BSZ100N06LS3 G es un MOSFET de potencia de canal N de 60 V optimizado para la rectificación síncrona en fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS) como las que se encuentran en servidores, computadoras de escritorio y cargadores de tabletas. La carga de la puerta y la carga de salida drásticamente reducidas permiten una alta eficiencia del sistema y una densidad de potencia. El MOSFET de potencia OptiMOS ™ es ideal para conmutación de alta frecuencia y convertidores CD-CD.
- Mayor eficiencia del sistema
- Se requiere menos paralelismo
- Aumento de la densidad de potencia
- Sobreimpulso de muy bajo voltaje
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.01ohm
Diseño de Transistor
PG-TSDSON
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.7
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
OptiMOS Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
20
Resistencia de Activación Rds(on)
0.008ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
50W
Disipación de Potencia
50
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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