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BSZ900N15NS3GATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 150 V, 13 A, 0.09 ohm, TSDSON, Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSZ900N15NS3GATMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante52 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK4599
Re-reeling (Rollos a medida)50Y1837RL
Cinta adhesiva50Y1837
También conocido comoBSZ900N15NS3 G, SP000677866
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $1.390 | $1.39 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $1.39 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.390 |
| 50+ | $0.871 |
| 100+ | $0.575 |
| 250+ | $0.511 |
| 500+ | $0.446 |
| 1000+ | $0.406 |
| 2500+ | $0.383 |
| 5000+ | $0.371 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 5000+ | $0.560 |
| 10000+ | $0.542 |
| 20000+ | $0.530 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSZ900N15NS3GATMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante52 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK4599
Re-reeling (Rollos a medida)50Y1837RL
Cinta adhesiva50Y1837
También conocido comoBSZ900N15NS3 G, SP000677866
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds150V
Intensidad Drenador Continua Id13A
Resistencia de Activación Rds(on)0.074ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.09ohm
Diseño de TransistorTSDSON
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd38W
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3V
Disipación de Potencia38W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
The BSZ900N15NS3 G is an OptiMOS™ N-channel Power MOSFET ideal for high-frequency switching and synchronous rectification. It achieves a reduction in RDS (ON) of 40% and of 45% in figure of merit (FOM) compared to the next best competitor. This drastic improvement opens new possibilities like moving from leaded packages to SMD packages or effectively replacing two old parts with one OptiMOS™ part.
- Excellent switching performance
- World's lowest RDS (ON)
- Very low Qg and Qgd
- Excellent gate charge x RDS (ON) product (FOM)
- MSL1 rated 2
- Increased efficiency
- Highest power density
- Less paralleling required
- Smallest board-space consumption
- Easy-to-design products
- Normal level
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Halogen-free, Green device
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
150V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.074ohm
Diseño de Transistor
TSDSON
Disipación de Potencia Pd
38W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3V
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
13A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.09ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
38W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto