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BSZ900N20NS3GATMA1.
MOSFET de Potencia, Canal N, 200 V, 15.2 A, 0.077 ohm, TSDSON, Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
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No. Parte Newark27AC1118
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Información del producto
FabricanteINFINEON
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No. Parte Newark27AC1118
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds200
Intensidad Drenador Continua Id15.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.077
Resistencia de Activación Rds(on)0.077ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd62.5W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Diseño de TransistorTSDSON
Disipación de Potencia62.5
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2018)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
200
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.077
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
TSDSON
No. de Pines
8Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
15.2
Resistencia de Activación Rds(on)
0.077ohm
Disipación de Potencia Pd
62.5W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
Disipación de Potencia
62.5
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2018)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza BSZ900N20NS3GATMA1.
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2018)
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