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BSZ900N20NS3GATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 200 V, 15.2 A, 0.09 ohm, PG-TSDSON, Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSZ900N20NS3GATMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante52 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)79X1341RL
Cinta adhesiva79X1341
También conocido comoBSZ900N20NS3 G, SP000781806
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $2.170 | $2.17 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $2.17 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.170 |
| 50+ | $1.380 |
| 100+ | $0.930 |
| 250+ | $0.842 |
| 500+ | $0.754 |
| 1000+ | $0.675 |
| 2500+ | $0.632 |
| 5000+ | $0.598 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSZ900N20NS3GATMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante52 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)79X1341RL
Cinta adhesiva79X1341
También conocido comoBSZ900N20NS3 G, SP000781806
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds200
Intensidad Drenador Continua Id15.2
Resistencia de Activación Rds(on)0.077ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.09
Diseño de TransistorTSDSON
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd62.5W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia62.5
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El BSZ900N20NS3 G es un MOSFET de potencia de canal N con tecnología de referencia OptiMOS™ líder en rendimiento. Es perfectamente adecuado para la rectificación síncrona en sistemas de 48 V, convertidores CD a CD, fuentes de alimentación ininterrumpida (UPS) e inversores.
- El RDS más bajo de la industria (ON)
- Qg y Qgd más bajos
- La calificación FOM y MSL 1 más baja del mundo
- La más alta eficiencia
- La más alta densidad de potencia
- Se requieren mínimos dispositivos para paralelaje
- Amigable con el medio ambiente
- Productos fáciles de diseñar
- Calificado de acuerdo con JEDEC para la aplicación de destino
- Producto verde, libre de halógenos
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
200
Resistencia de Activación Rds(on)
0.077ohm
Diseño de Transistor
TSDSON
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
15.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.09
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
62.5W
Disipación de Potencia
62.5
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza BSZ900N20NS3GATMA1
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto