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CY14B256LA-ZS25XI
NVSRAM, PARALLEL, 256KBIT, 25NS, TSOP-44
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteCY14B256LA-ZS25XICopiar
No. Parte Newark86AK7314
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteCY14B256LA-ZS25XICopiar
No. Parte Newark86AK7314
Hoja de datos técnicos
Densidad de Memoria256
Configuración de Memoria32K x 8bit
Tiempo de Acceso de Lectura25
Tiempo de Acceso de Escritura25
Tensión de Alimentación Mín.2.7
Tensión de Alimentación Máx.3.6
Estuche / Paquete CITSOP
No. de Pines44Pines
InterfacesParallel
IC, MontajeSurface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.-40
Temperatura de Trabajo Máx.85
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 hours
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
CY14B256LA-ZS25XI es una memoria RAM estática rápida, con un elemento no volátil en cada celda de memoria. La memoria está organizada en bloques de 32KB de 8 bits cada uno. Los elementos no volátiles integrados incorporan la tecnología QuantumTrap, lo que
- Voltaje de 3.0V, densidad de 256Kb, bus de datos × 8, revisión del chip de primera revisión en blanco – Sin revisión, velocidad de 25ns
- Almacenamiento automático sin intervención del usuario al apagar el equipo con solo un pequeño condensador.
- Almacenamiento en QuantumTrap de elementos no volátiles mediante software, pin del dispositivo y AutoStore al apagar.
- Recuperación a la SRAM iniciada por software o al encender el equipo, ciclos infinitos de lectura, escritura y recuperación.
- 1 millón de ciclos de almacenamiento en QuantumTrap, retención mínima de datos de 20 años.
- El rango de alimentación es de 2.7 a 3.6V; la operación de almacenamiento no volátil es de 1000K como mínimo.
- Condensador de almacenamiento de 68μF (entre el pin VCAP y VSS).
- La corriente VCC promedio es de 70mA como máximo (tRC = 25ns).
- Corriente de VCC en espera máxima de 5mA (activo bajo). CE <gt/> (VCC – 0.2V)
- Encapsulado TSOP II de 44 pines, rango de temperatura industrial de -40 a 85 °C
Especificaciones técnicas
Densidad de Memoria
256
Tiempo de Acceso de Lectura
25
Tensión de Alimentación Mín.
2.7
Estuche / Paquete CI
TSOP
Interfaces
Parallel
Temperatura de Trabajo Mín.
-40
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Configuración de Memoria
32K x 8bit
Tiempo de Acceso de Escritura
25
Tensión de Alimentación Máx.
3.6
No. de Pines
44Pines
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
85
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 hours
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto