Imprimir página
CY15B128Q-SXE
RAM Ferroeléctrica (FRAM), 128Kbit, 16K x 8bit, SPI, 33 MHz, Alimentación 2.7 V a 3.6 V, SOIC-8
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteCY15B128Q-SXECopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante22 semanas
No. Parte Newark62AK5192
Su número de pieza
576 En Stock
¿Necesita más?
Entrega en 4-6 días hábiles(UK stock)
Haga el pedido antes de las 6 p.m. EST para un envío normal
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $9.830 |
| 10+ | $9.280 |
| 25+ | $9.060 |
| 50+ | $8.820 |
| 100+ | $8.640 |
| 250+ | $8.580 |
| 500+ | $8.560 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$9.83
nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteCY15B128Q-SXECopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante22 semanas
No. Parte Newark62AK5192
Hoja de datos técnicos
Tamaño de la Memoria0
Densidad de Memoria128
Organización de Memoria0
Configuración de Memoria16K x 8bit
Tipo de Interfaz IC0
InterfacesSPI
Frecuencia de Reloj0
Frecuencia Max de Reloj33
Tensión de Alimentación Mín.2.7
Tensión de Alimentación Máx.3.6
Estuche / Paquete CISOIC
Memoria, Tipo0
No. de Pines8Pines
IC, MontajeSurface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.-40
Temperatura de Trabajo Máx.125
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
CY15B128Q-SXE es una memoria no volátil de 128Kbit que emplea un proceso ferroeléctrico avanzado. Un F-RAM no es volátil y realiza lecturas y escrituras similares a una RAM. Proporciona retención de datos confiable durante 121 años al tiempo que elimina l
- Memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica de 128Kbit (F-RAM) organizada lógicamente como 16K × 8
- Escritura NoDelay™, proceso ferroeléctrico avanzado de alta confiabilidad
- Interfaz periférica serial (SPI) muy rápida, hasta una frecuencia de 33MHz
- Reemplazo directo de hardware para memoria flash serial y EEPROM, compatible con el modo SPI 0 (0, 0) y el modo 3 (1, 1).
- Sistema avanzado de protección contra escritura, con protección por hardware mediante el pin WP de protección contra escritura activo en bajo.
- Bajo consumo de energía, corriente activa de 5mA a 33MHz.
- Cumple con AEC Q100 grado 1
- Operación de bajo voltaje: VDD = 2.7V a 3.6V
- Rango de temperatura de automoción-E de –40 °C a +125 °C
Especificaciones técnicas
Tamaño de la Memoria
0
Organización de Memoria
0
Tipo de Interfaz IC
0
Frecuencia de Reloj
0
Tensión de Alimentación Mín.
2.7
Estuche / Paquete CI
SOIC
No. de Pines
8Pines
Temperatura de Trabajo Mín.
-40
Rango de Producto
-
Densidad de Memoria
128
Configuración de Memoria
16K x 8bit
Interfaces
SPI
Frecuencia Max de Reloj
33
Tensión de Alimentación Máx.
3.6
Memoria, Tipo
0
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
125
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto