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CY62137FV30LL-55ZSXE
SRAM SRAM ASÃNCRONA 2MBIT 128K X 16BIT
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteCY62137FV30LL-55ZSXECopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante28 semanas
No. Parte Newark86AK7320
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675 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $9.390 |
| 10+ | $9.190 |
| 25+ | $9.110 |
| 50+ | $9.040 |
| 100+ | $8.150 |
| 250+ | $7.990 |
| 500+ | $7.820 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteCY62137FV30LL-55ZSXECopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante28 semanas
No. Parte Newark86AK7320
Hoja de datos técnicos
Tipo de SRAMAsynchronous SRAM
Densidad de Memoria2
Configuración de Memoria128K x 16bit
Estuche / Paquete CITSOP
No. de Pines44Pines
Tensión de Alimentación Mín.2.2
Tensión de Alimentación Máx.3.6
Tensión de Alimentación Nom.3
Frecuencia Max de Reloj-
IC, MontajeSurface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.-40
Temperatura de Trabajo Máx.125
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
CY62137FV30LL-55ZSXE es una RAM estática CMOS de alto rendimiento organizada como 128K palabras por 16 bits. Este dispositivo cuenta con un diseño de circuito avanzado para proporcionar una corriente activa ultrabaja. Esto es ideal para proporcionar más v
- Rango de VCC: de 2.2 a 3.6V, tiempo de ciclo de lectura: 55ns mín., tiempo de ciclo de escritura: 55ns mín.
- Ampliación de memoria sencilla con funciones de CE baja activa y OE baja activa
- Apagado automático cuando no está seleccionado, función de apagado de bytes
- Semiconductor de óxido metálico complementario (CMOS) para una velocidad y potencia óptimas
- La capacitancia de entrada es de 10 pF máximo (TA = 25 °C, f = 1MHz, VCC = VCC (típico)).
- Capacitancia de salida: 10pF máxima (TA = 25 °C, f = 1MHz, VCC = VCC(típ.))
- Corriente de fuga de salida: rango de -4 a +4µA (GND <lt/> VO <lt/> VCC, salida desactivada).
- Rango de corriente de fuga de entrada de -4 a +4µA (GND <lt/> VI <lt/> VCC)
- Voltaje mínimo de salida: 0.4V máx. (2.2V <lt/> VCC <lt/> 2.7V, IOL = 0.1mA).
- Encapsulado TSOP II de 44 pines, para automoción (E), con rango de temperatura de -40 °C a +125 °C.
Especificaciones técnicas
Tipo de SRAM
Asynchronous SRAM
Configuración de Memoria
128K x 16bit
No. de Pines
44Pines
Tensión de Alimentación Máx.
3.6
Frecuencia Max de Reloj
-
Temperatura de Trabajo Mín.
-40
Rango de Producto
-
Densidad de Memoria
2
Estuche / Paquete CI
TSOP
Tensión de Alimentación Mín.
2.2
Tensión de Alimentación Nom.
3
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
125
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:3A991B2A
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto