CY62146ELL-45ZSXI

La CY62146ELL-45ZSXI es una memoria de acceso aleatorio estática (SRAM) CMOS de alto rendimiento de 4 MB organizada en 256 K palabras de 16 bits. Este dispositivo presenta un diseño de circuito avanzado para proporcionar una corriente activa ultrabaja. Es ideal para proporcionar mayor duración de la batería (MoBL®) en aplicaciones portátiles. El dispositivo también tiene una función de apagado automático que reduce el consumo de energía cuando las direcciones no están cambiando. Colocar el dispositivo en modo de espera reduce el consumo de energía en más del 99% cuando no está seleccionado. Los pines de entrada y salida se colocan en un estado de alta impedancia cuando el dispositivo está deseleccionado, las salidas están deshabilitadas, tanto la habilitación de byte alto como la habilitación de byte bajo están deshabilitadas o durante una operación de escritura. Para escribir en el dispositivo, coloque las entradas de habilitación de chip y habilitación de escritura en BAJAS. Si la habilitación del byte bajo es BAJA, entonces los datos de los pines de E/S se escriben en la ubicación especificada en los pines de dirección. Si la habilitación del byte alto es BAJA, entonces los datos de los pines de E/S se escriben en la ubicación especificada en los pines de dirección.

• Muy alta velocidad - 45ns
• Consumo de energía ultrabaja en modo de espera
• Potencia activa ultrabaja
• Fácil expansión de memoria con CE y OE
• Apagado automático cuando no está seleccionado
• CMOS para una velocidad/potencia óptimas