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CY62157EV30LL-45ZXIT
SRAM SRAM ASÃNCRONA 8MBIT 512K X 16BIT
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteCY62157EV30LL-45ZXITCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante22 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)87AK1352RL
Cinta adhesiva87AK1352
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872 En Stock
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| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $10.790 | $10.79 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $10.79 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $10.790 |
| 50+ | $9.510 |
| 100+ | $9.260 |
| 250+ | $8.970 |
| 500+ | $8.750 |
| 1000+ | $8.510 |
| 2500+ | $8.340 |
| 5000+ | $8.170 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteCY62157EV30LL-45ZXITCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante22 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)87AK1352RL
Cinta adhesiva87AK1352
Hoja de datos técnicos
Tipo de SRAMAsynchronous SRAM
Densidad de Memoria8
Configuración de Memoria512K x 16bit
Estuche / Paquete CITSOP
No. de Pines48Pines
Tensión de Alimentación Mín.2.2
Tensión de Alimentación Máx.3.6
Tensión de Alimentación Nom.3
Frecuencia Max de Reloj-
IC, MontajeSurface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.-40
Temperatura de Trabajo Máx.85
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
CY62157EV30LL-45ZXIT es una RAM estática CMOS de alto rendimiento organizada como 512K palabras por 16 bits. Este dispositivo cuenta con un diseño de circuito avanzado para proporcionar una corriente activa ultrabaja. Esto es ideal para proporcionar más v
- Encapsulado TSOP-I configurable como memoria RAM estática (SRAM) de 512KB × 16 o 1MB × 8.
- Fácil expansión de memoria con funciones CE1, CE2 y OE de nivel activo bajo
- Apagado automático cuando no está seleccionado
- Semiconductor de óxido metálico complementario (CMOS) para una velocidad y potencia óptimas
- Rango de VCC: de 2.2 a 3.6V, disipación de potencia típica: 1.8mA (f = 1 MHz), en espera; ISB2: 2µA típico.
- Rango de corriente de fuga de entrada de -4 a +4µA (GND <lt/> VI <lt/> VCC)
- Corriente de fuga de salida: rango de -4 a +4µA (GND <lt/> VO <lt/> VCC, salida desactivada).
- El VCC para retención de datos es de 1.5V como mínimo
- Corriente de retención de datos de 30µA (VCC = 1.5V), tiempo de recuperación de la operación de 55ns min
- Encapsulado TSOP Tipo I de 48 pines, rango de temperatura industrial de -40 °C a +85 °C.
Especificaciones técnicas
Tipo de SRAM
Asynchronous SRAM
Configuración de Memoria
512K x 16bit
No. de Pines
48Pines
Tensión de Alimentación Máx.
3.6
Frecuencia Max de Reloj
-
Temperatura de Trabajo Mín.
-40
Rango de Producto
-
Densidad de Memoria
8
Estuche / Paquete CI
TSOP
Tensión de Alimentación Mín.
2.2
Tensión de Alimentación Nom.
3
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
85
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:3A991B2A
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto