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CY62167ELL-45ZXIT
SRAM, SRAM ASÃNCRONA, 16MBIT
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteCY62167ELL-45ZXITCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante22 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)86AK7325RL
Cinta adhesiva86AK7325
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998 En Stock
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| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $24.860 | $24.86 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $24.86 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $24.860 |
| 50+ | $22.420 |
| 100+ | $22.010 |
| 250+ | $21.450 |
| 500+ | $21.080 |
| 1000+ | $20.660 |
| 2500+ | $20.240 |
| 5000+ | $19.820 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteCY62167ELL-45ZXITCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante22 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)86AK7325RL
Cinta adhesiva86AK7325
Hoja de datos técnicos
Tipo de SRAMAsynchronous SRAM
Densidad de Memoria16
Configuración de Memoria2M x 8bit / 1M x 16bit
Estuche / Paquete CITSOP
No. de Pines48Pines
Tensión de Alimentación Mín.4.5
Tensión de Alimentación Máx.5.5
Tensión de Alimentación Nom.5
Frecuencia Max de Reloj-
IC, MontajeSurface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.-40
Temperatura de Trabajo Máx.85
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
CY62167ELL-45ZXIT es una memoria RAM estática CMOS de alto rendimiento organizada en 1 M palabras por 16 bits/2 M palabras por 8 bits. Este dispositivo presenta un diseño de circuito avanzado para proporcionar una corriente activa ultrabaja. Esto es ideal
- Configurable como SRAM de 1M × 16 o de 2M × 8
- Fácil expansión de memoria con funciones CE1, CE2 y OE de nivel activo bajo
- Apagado automático cuando no está seleccionado
- CMOS para una velocidad y potencia óptimas
- Rango de VCC: de 4.5 a 5.5V, disipación de potencia típica: 2.2mA (f = 1 MHz), en espera; ISB2: 1.5µA típico.
- El voltaje VCC para la retención de datos es de 2.0V como mínimo, y el tiempo de recuperación de la operación es de 45ns como mínimo.
- Corriente de retención de datos máxima de 12µA (VCC = VDR, CE1 <gt/> VCC – 0.2V o CE2 <lt/> 0.2V)
- La capacitancia de entrada es de 10pF máximo (TA = 25 °C, f = 1 MHz, VCC = VCC (típico)).
- La capacitancia de salida es de 10pF como máximo (TA = 25 °C, f = 1MHz, VCC = VCC (típico)).
- Encapsulado TSOP I de 48 pines, rango de temperatura industrial de -40 °C a +85 °C.
Especificaciones técnicas
Tipo de SRAM
Asynchronous SRAM
Configuración de Memoria
2M x 8bit / 1M x 16bit
No. de Pines
48Pines
Tensión de Alimentación Máx.
5.5
Frecuencia Max de Reloj
-
Temperatura de Trabajo Mín.
-40
Rango de Producto
-
Densidad de Memoria
16
Estuche / Paquete CI
TSOP
Tensión de Alimentación Mín.
4.5
Tensión de Alimentación Nom.
5
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
85
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:3A991.b.2.a
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto