Imprimir página
CY62167EV30LL-45BVXIT
SRAM, SRAM asíncrona, 16 Mbit, 1M x 16bit, VFBGA, 48 Pines, 2.2 V
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteCY62167EV30LL-45BVXITCopiar
No. Parte Newark68AC4712
Su número de pieza
807 En Stock
¿Necesita más?
27 Entrega en EE. UU. en 2-4 días hábiles. Haga su pedido antes de las 12:30 p. m. EST (hora estandar del este de EE. UU.). Envío estándar.
780 Stock disponible en el Reino Unido para entrega en 4-6 días laborables.
Pedido antes de las 6 p.m.
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $358.400 |
| 10+ | $332.800 |
| 25+ | $322.400 |
| 50+ | $314.400 |
| 100+ | $306.600 |
| 250+ | $296.600 |
| 500+ | $289.200 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$358.40
nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteCY62167EV30LL-45BVXITCopiar
No. Parte Newark68AC4712
Hoja de datos técnicos
Tamaño de la Memoria0
Tipo de SRAMSRAM asíncrona
Densidad de Memoria16
Configuración Memoria SRAM0
Configuración de Memoria1M x 16bit
Tensión de Alimentación, Rango0
Estuche / Paquete CIVFBGA
Memoria, Tipo0
No. de Pines48Pines
Tiempo de Acceso0
Tensión de Alimentación Mín.2.2
Tensión de Alimentación Máx.3.6
Tensión de Alimentación Nom.3
Frecuencia Max de Reloj-
IC, MontajeSurface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.-40
Temperatura de Trabajo Máx.85
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 hours
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
CY62167EV30LL-45BVXIT es una memoria RAM estática CMOS de alto rendimiento organizada en 1 millón de palabras por 16 bits o 2 millones de palabras por 8 bits. Incorpora un diseño de circuito avanzado que proporciona una corriente activa ultrabaja. La corr
- Muy alta velocidad: 45ns
- Amplio rango de voltaje de 2.20V a 3.60V
- La corriente máxima de espera es de 12µA
- La corriente activa típica es de 2.2mA a f = 1MHz
- Fácil expansión de memoria con funciones activas-bajas CE1, activas-bajas CE2 y activas-bajas OE
- Apagado automático cuando no está seleccionado
- CMOS para una velocidad y potencia óptimas
- El VCC para retención de datos es de 1.5V
- Paquete VFBGA de 48 bolas
- Rango de temperatura automotriz de -40°C a +85°C
Especificaciones técnicas
Tamaño de la Memoria
0
Densidad de Memoria
16
Configuración de Memoria
1M x 16bit
Estuche / Paquete CI
VFBGA
No. de Pines
48Pines
Tensión de Alimentación Mín.
2.2
Tensión de Alimentación Nom.
3
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
85
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 hours
Tipo de SRAM
SRAM asíncrona
Configuración Memoria SRAM
0
Tensión de Alimentación, Rango
0
Memoria, Tipo
0
Tiempo de Acceso
0
Tensión de Alimentación Máx.
3.6
Frecuencia Max de Reloj
-
Temperatura de Trabajo Mín.
-40
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:3A991B
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto