CY7C1021D-10VXI

La CY7C1021D-10VXI es una memoria de acceso aleatorio estática (SRAM) CMOS de alto rendimiento de 1MB organizada en 65536 palabras de 16 bits. Este dispositivo tiene una función de apagado automático que reduce significativamente el consumo de energía cuando no está seleccionada. Los pines de entrada y salida se colocan en un estado de alta impedancia cuando el dispositivo está deseleccionado, las salidas están deshabilitadas, BHE y BLE están deshabilitados o durante una operación de escritura. Escriba en el dispositivo tomando las entradas de habilitación de chip y habilitación de escritura en BAJAS. Si la habilitación del byte bajo es BAJA, entonces los datos de los pines de E/S se escriben en la ubicación especificada en los pines de dirección. Si la habilitación del byte alto es BAJA, entonces los datos de los pines de E/S se escriben en la ubicación especificada en los pines de dirección. Lea desde el dispositivo tomando la habilitación del chip y la habilitación de salida en BAJO mientras fuerza la habilitación de escritura en ALTO. Si la habilitación del byte bajo es BAJA, entonces los datos de la ubicación de memoria especificada por los pines de dirección aparecen en I/O0 a I/O7. Si la habilitación del byte alto es BAJA, los datos de la memoria aparecen en I/O8 a I/O15.

• Pin y función compatibles con CY7C1021B
• Alta velocidad- 10ns
• Baja potencia activa
• Bajo consumo de energía en modo de espera de CMOS
• Retención de datos 2V
• Apagado automático cuando no está seleccionado
• CMOS para una velocidad/potencia óptimas
• Control independiente de bits superiores e inferiores