CY7C1021DV33-10VXIT

CY7C1021DV33-10VXIT es una RAM estática CMOS de alto rendimiento organizada en 65,536 palabras por 16 bits. Este dispositivo tiene una función de apagado automático que reduce significativamente el consumo de energía cuando no está seleccionada. La escritura en el dispositivo se logra tomando las entradas de habilitación de chip (CE bajo activo) y habilitación de escritura (WE bajo activo) en BAJA. Si Byte Low Enable (BLE activo bajo) es BAJO, entonces los datos de los pines de E/S (E/S0 a E/S7) se escriben en la ubicación especificada en los pines de dirección (A0 a A15). Si Byte High Enable (BHE activo-bajo) es BAJO, entonces los datos de los pines de E/S (E/S8 a E/S15) se escriben en la ubicación especificada en los pines de dirección (A0 a A15). La lectura del dispositivo se realiza poniendo en BAJO las señales de Habilitación del Chip (CE, activa en bajo) y Habilitación de Salida (OE, activa en bajo), mientras que la señal de Habilitación de Escritura (WE, activa en bajo) se mantiene en ALTO. Si la señal de Habilitación de Byte Bajo (BLE, activa en bajo) está en BAJO, los datos de la ubicación de memoria especificada por los pines de dirección aparecerán en las entradas/salidas 0 a 7.

• Retención de datos de 2.0V, apagado automático cuando se deselecciona
• CMOS para una velocidad/potencia óptimas
• Control independiente de bits superiores e inferiores
• Familia de SRAM asíncrona rápida, densidad de 1Mbit, ancho de datos × 16 bits
• Tecnología de 90 nm, rango de voltaje de 3V a 3.6V, velocidad de 10ns
• La corriente de fuga de entrada es de +1µA máximo en (GND <lt/> VI <lt/> VCC)
• La corriente de alimentación de VCC es de 60mA como máximo a (VCC = máx, IOUT = 0mA, f = fMAX = 1/tRC, 100MHz).
• La capacitancia de entrada es de 8pF como máximo a (TA = 25 °C, f = 1MHz, VCC = 3.3V).
• Compatible con pines y funciones de CY7C1021CV33
• Rango de temperatura ambiente industrial de -40 °C a +85 °C, encapsulado SOJ moldeado de 44 pines.