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CY7C10612G30-10ZSXI
SRAM, 16MBIT, -40 A 85°C
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteCY7C10612G30-10ZSXICopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante22 semanas
No. Parte Newark78AC4349
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $24.860 |
| 5+ | $24.050 |
| 10+ | $23.250 |
| 25+ | $22.990 |
| 50+ | $22.430 |
| 100+ | $21.810 |
| 250+ | $19.880 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$24.86
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteCY7C10612G30-10ZSXICopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante22 semanas
No. Parte Newark78AC4349
Hoja de datos técnicos
Tipo de SRAMSRAM asíncrona
Tamaño de la Memoria0
Configuración Memoria SRAM0
Densidad de Memoria16
Tensión de Alimentación, Rango0
Configuración de Memoria1M x 16bit
Memoria, Tipo0
Estuche / Paquete CITSOP-II
No. de Pines54Pines
Tiempo de Acceso0
Tensión de Alimentación Mín.3
Tensión de Alimentación Máx.3.6
Tensión de Alimentación Nom.3.3
Frecuencia Max de Reloj-
IC, MontajeSurface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.-40
Temperatura de Trabajo Máx.85
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 hours
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El CY7C10612G30-10ZSXI es un dispositivo de memoria RAM estática rápida CMOS de alto rendimiento con ECC integrado. El dispositivo incluye un pin indicador de error que señala un evento de detección y corrección de errores durante un ciclo de lectura. Par
- Código de corrección de errores integrado (ECC) para la corrección de errores de un solo bit
- La corriente activa baja ICC es de 90mA típica.
- El bajo consumo de corriente en modo de espera CMOS ISB2 es de 20mA típico.
- Voltaje de operación de 3.3 ±0.3V
- Retención de datos de 1.0V
- Entradas y salidas compatibles con lógica transistor-transistor (TTL)
- El pin ERR indica la detección y corrección de errores de 1 bit.
- Alta velocidad, tAA=10ns
- Paquete TSOP II de 54 pines
- Rango de temperatura ambiente industrial de -40 °C a +85 °C
Especificaciones técnicas
Tipo de SRAM
SRAM asíncrona
Configuración Memoria SRAM
0
Tensión de Alimentación, Rango
0
Memoria, Tipo
0
No. de Pines
54Pines
Tensión de Alimentación Mín.
3
Tensión de Alimentación Nom.
3.3
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
85
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 hours
Tamaño de la Memoria
0
Densidad de Memoria
16
Configuración de Memoria
1M x 16bit
Estuche / Paquete CI
TSOP-II
Tiempo de Acceso
0
Tensión de Alimentación Máx.
3.6
Frecuencia Max de Reloj
-
Temperatura de Trabajo Mín.
-40
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:3A991B2A
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto