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F3L75R07W2E3B11BOMA1
Módulo IGBT, Inversor de tres niveles, 75 A, 1.45 V, 250 W, 150 °C, Module
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteF3L75R07W2E3B11BOMA1
No. Parte Newark12AC9648
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $51.230 |
| 5+ | $46.510 |
| 10+ | $41.790 |
| 30+ | $37.070 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteF3L75R07W2E3B11BOMA1
No. Parte Newark12AC9648
Hoja de datos técnicos
Configuración IGBTInversor de tres niveles
Corriente de Colector DC0
Corriente del Colector Continua75A
Voltaje de Saturación Colector Emisor1.45V
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)0
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia250W
Temperatura de Union, Tj Máx.0
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Diseño de TransistorModule
Terminación del IGBTEncaje a Presión
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Voltaje Máx. Colector a Emisor650V
Tecnología IGBTIGBT 3 [Parada en zanja/campo]
Montaje de TransistorPanel
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Configuración IGBT
Inversor de tres niveles
Corriente del Colector Continua
75A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
0
Disipación de Potencia
250W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Terminación del IGBT
Encaje a Presión
Voltaje Máx. Colector a Emisor
650V
Montaje de Transistor
Panel
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Corriente de Colector DC
0
Voltaje de Saturación Colector Emisor
1.45V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Union, Tj Máx.
0
Diseño de Transistor
Module
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Tecnología IGBT
IGBT 3 [Parada en zanja/campo]
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto