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F3L75R07W2E3B11BOMA1
IGBT, 3-LEVEL INVERTER, 650V/75A, MODULE
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FabricanteINFINEON
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No. Parte Newark12AC9648
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $49.340 |
| 5+ | $44.700 |
| 10+ | $40.070 |
| 30+ | $35.440 |
| 60+ | $34.410 |
| 105+ | $33.380 |
| 255+ | $32.340 |
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Información del producto
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No. Parte Newark12AC9648
Hoja de datos técnicos
Configuración IGBTInversor de tres niveles
Corriente de Colector DC0
Corriente del Colector Continua75A
Voltaje de Saturación Colector Emisor1.45V
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)0
Disipación de Potencia250W
Disipación de Potencia Pd0
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Temperatura de Union, Tj Máx.0
Diseño de TransistorModule
Terminación del IGBTEncaje a Presión
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Voltaje Máx. Colector a Emisor650V
Tecnología IGBTIGBT 3 [Parada en zanja/campo]
Montaje de TransistorPanel
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Configuración IGBT
Inversor de tres niveles
Corriente del Colector Continua
75A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
0
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Union, Tj Máx.
0
Terminación del IGBT
Encaje a Presión
Voltaje Máx. Colector a Emisor
650V
Montaje de Transistor
Panel
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Corriente de Colector DC
0
Voltaje de Saturación Colector Emisor
1.45V
Disipación de Potencia
250W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Diseño de Transistor
Module
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Tecnología IGBT
IGBT 3 [Parada en zanja/campo]
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto