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FF3MR20W3M1HH11BPSA1
MOSFET de carburo de silicio, Medio Puente, Canal N, 275 A, 2 kV, 0.0041 ohm, Module
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteFF3MR20W3M1HH11BPSA1Copiar
No. Parte Newark27AM0048
Rango de ProductoEasyPACK Series
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteFF3MR20W3M1HH11BPSA1Copiar
No. Parte Newark27AM0048
Rango de ProductoEasyPACK Series
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETMedio Puente
Tipo de CanalCanal N
Intensidad Drenador Continua Id275
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0041
Diseño de TransistorModule
No. de Pines52Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5.15
Disipación de Potencia-
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoEasyPACK Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
FF3MR20W3M1HH11BPSA1 is an EasyPACK™ module with CoolSiC™ Trench MOSFET and High Current Pin / NTC. Potential applications include energy storage systems (ESS), EV charging, UPS systems, and solar applications.
- Qualified for industrial applications according to the relevant tests of IEC 60747, 60749 and 60068
- Low switching losses, high current density
- High current pin, PressFIT contact technology
- Rugged mounting due to integrated mounting clamps, integrated NTC temperature sensor
- Drain-source voltage is 2000V at Tvj = 25°C
- Continuous DC drain current is 275A at Tvj = 175°C, VGS = 18V, TH = 65°C
- Repetitive peak drain current is 640A ( verified by design, tp limited by Tvjmax)
- Drain-source on-resistance is 2.6mohm typ at VGS = 18V, Tvj = 25°C, ID = 320A
- Total gate charge is 1.56 µC typ at VDD = 1200V, VGS = -3/18V, Tvj = 25°C
- Storage temperature range from -40 to 125°C
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Medio Puente
Intensidad Drenador Continua Id
275
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0041
No. de Pines
52Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5.15
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
2
Diseño de Transistor
Module
Voltaje de Prueba Rds(on)
18
Disipación de Potencia
-
Rango de Producto
EasyPACK Series
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto