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FF450R12KE4EHOSA1
Arreglo & Módulo Transistor IGBT, Canal N, 520 A, 1.75 V, 2.4 kW, 1.2 kV, Módulo
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteFF450R12KE4EHOSA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante20 semanas
No. Parte Newark34AC1487
Rango de ProductoStandard 62mm C
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteFF450R12KE4EHOSA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante20 semanas
No. Parte Newark34AC1487
Rango de ProductoStandard 62mm C
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Configuración IGBTDual, Common Emitter
Corriente del Colector Continua520
Corriente de Colector DC520A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)1.75V
Voltaje de Saturación Colector Emisor1.75
Disipación de Potencia2.4
Disipación de Potencia Pd2.4kW
Temperatura de Union, Tj Máx.150°C
Temperatura de Trabajo Máx.150
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo1.2kV
Diseño de TransistorModule
Terminación del IGBTTab
Voltaje Máx. Colector a Emisor1.2
Tecnología IGBTIGBT 4 [Trench/Field Stop]
Montaje de TransistorPanel
Rango de ProductoStandard 62mm C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
Módulo de la serie C de 62mm con IGBT4 rápido de trinchera/tope de campo y diodo HE controlado por emisor adecuado para su uso en aplicaciones de conmutación de alta frecuencia, convertidores de alta potencia, aplicaciones solares y sistemas UPS.
- Aumento del voltaje de enlace de CD
- Trinchera IGBT 4
- Aislamiento mínimo de 4KV AC1
- Paquete con CTI<gt/> 400
- Grandes distancias de fuga y espacio libre
- Placa base aislada
- Placa base de cobre
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Corriente del Colector Continua
520
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
1.75V
Disipación de Potencia
2.4
Temperatura de Union, Tj Máx.
150°C
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
1.2kV
Terminación del IGBT
Tab
Tecnología IGBT
IGBT 4 [Trench/Field Stop]
Rango de Producto
Standard 62mm C
Configuración IGBT
Dual, Common Emitter
Corriente de Colector DC
520A
Voltaje de Saturación Colector Emisor
1.75
Disipación de Potencia Pd
2.4kW
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Diseño de Transistor
Module
Voltaje Máx. Colector a Emisor
1.2
Montaje de Transistor
Panel
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto