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FF650R17IE4DB2BOSA1
Módulo IGBT, Doble, 930 A, 2.45 V, 4.15 kW, 150 °C, Module
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteFF650R17IE4DB2BOSA1
No. Parte Newark84R7187
Rango de ProductoPrimePACK 2 Series
Hoja de datos técnicos
Disponible para realizar pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 21 semana(s)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $549.570 |
| 6+ | $549.570 |
| 12+ | $549.560 |
| 27+ | $549.560 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$549.57
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteFF650R17IE4DB2BOSA1
No. Parte Newark84R7187
Rango de ProductoPrimePACK 2 Series
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Configuración IGBTDual
Corriente del Colector Continua930
Corriente de Colector DC650A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)1.7kV
Voltaje de Saturación Colector Emisor2.45
Disipación de Potencia4.15
Disipación de Potencia Pd4.15kW
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo1.7kV
Temperatura de Trabajo Máx.150
Temperatura de Union, Tj Máx.150°C
Diseño de TransistorModule
No. de Pines10Pines
Terminación del IGBTTab
Voltaje Máx. Colector a Emisor1.7
Tecnología IGBTIGBT 4
Montaje de TransistorPanel
Rango de ProductoPrimePACK 2 Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
FF650R17IE4DB2BOSA1 is a Prime PACK™2 module and NTC. Applications include 3-level-applications, auxiliary inverters, high power converters, motor drives, traction drives, wind turbines.
- Extended operation temperature Tvj op, high DC stability
- High current density, low switching losses
- Enlarged diode for regenerative operation, low VCEsat
- High creepage and clearance distances
- High power and thermal cycling capability
- High power density, copper base plate
- 930A continuous DC collector current (TC = 25°C, Tvj max = 175°C)
- 5.8V typical gate threshold voltage (IC = 24,0mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C)
- 2.3ohm typical internal gate resistor (Tvj = 25°C)
- Temperature range from -40 to +150°C (under switching conditions)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Corriente del Colector Continua
930
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
1.7kV
Disipación de Potencia
4.15
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
1.7kV
Temperatura de Union, Tj Máx.
150°C
No. de Pines
10Pines
Voltaje Máx. Colector a Emisor
1.7
Montaje de Transistor
Panel
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Configuración IGBT
Dual
Corriente de Colector DC
650A
Voltaje de Saturación Colector Emisor
2.45
Disipación de Potencia Pd
4.15kW
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Diseño de Transistor
Module
Terminación del IGBT
Tab
Tecnología IGBT
IGBT 4
Rango de Producto
PrimePACK 2 Series
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto