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FF6MR12W2M1PB11BPSA1
MOSFET de carburo de silicio, Medio Puente, Doble Canal N, 200 A, 1.2 kV, 0.00563 ohm, Module
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteFF6MR12W2M1PB11BPSA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante50 semanas
No. Parte Newark91AH7523
Rango de ProductoEasyDUAL CoolSiC
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| Cantidad | Precio en USD |
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| 10+ | $326.890 |
| 25+ | $322.160 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteFF6MR12W2M1PB11BPSA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante50 semanas
No. Parte Newark91AH7523
Rango de ProductoEasyDUAL CoolSiC
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETHalf Bridge
Tipo de CanalDual N Channel
Transistor, PolaridadCanal N Dual
Intensidad Drenador Continua Id200
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.00563
Resistencia de Activación Rds(on)0.00563ohm
Diseño de TransistorModule
No. de Pines-
Voltaje de Prueba Rds(on)15
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.5
Disipación de Potencia Pd-
Disipación de Potencia-
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoEasyDUAL CoolSiC
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2018)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Half Bridge
Transistor, Polaridad
Canal N Dual
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2
Resistencia de Activación Rds(on)
0.00563ohm
No. de Pines
-
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.5
Disipación de Potencia
-
Rango de Producto
EasyDUAL CoolSiC
Tipo de Canal
Dual N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
200
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.00563
Diseño de Transistor
Module
Voltaje de Prueba Rds(on)
15
Disipación de Potencia Pd
-
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2018)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2018)
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