FM25C160B-GTR

FM25C160B-GTR es un F-RAM automotriz serie (SPI) de 16 Kbit (2 K × 8). Es una memoria no volátil de 16 Kbit que emplea un proceso ferroeléctrico avanzado. Una memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica o F-RAM no es volátil y realiza lecturas y escrituras de manera similar a la RAM. Proporciona retención de datos confiable durante 121 años al tiempo que elimina las complejidades, la sobrecarga y los problemas de confiabilidad a nivel del sistema causados ​​por la memoria flash serial, EEPROM y otras memorias no volátiles. A diferencia de la memoria flash serial y EEPROM, el FM25C160B realiza operaciones de escritura a la velocidad del bus. No se producen retrasos en la escritura. Los datos se escriben en la matriz de memoria inmediatamente después de que cada byte se transfiere correctamente al dispositivo. El siguiente ciclo de bus puede comenzar sin necesidad de sondeo de datos. Además, el producto ofrece una resistencia de escritura sustancial en comparación con otras memorias no volátiles.

• Memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica (F-RAM) de 16 Kbit organizada lógicamente como 2K × 8
• Alta resistencia: 10 billones de lecturas/escrituras, retención de datos durante 121 años
• Escritura No Delay™, proceso ferroeléctrico avanzado de alta confiabilidad
• Interfaz periférica serial muy rápida (SPI)
• Reemplazo directo de hardware para flash serial y EEPROM, admite modo SPI 0 (0.0) y modo 3 (1.1)
• Protección de hardware mediante el pin de protección contra escritura (WP bajo activo)
• Protección de software mediante instrucción de desactivación de escritura, protección de bloque de software para 1/4, 1/2 o toda la matriz
• La corriente de espera de VDD es de 10µA como máximo (TA=85 °C).
• Rango de operación de voltaje de 4.5V a 5.5V
• Paquete SOIC de 8 - pines, rango de temperatura de funcionamiento industrial de -40 a +125 °C