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FM25V20A-DG
RAM Ferroeléctrica (FRAM), 2 Mbit, 256K x 8bit, SPI, 40 MHz, Alimentación 2 V a 3.6 V, DFN-8
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteFM25V20A-DGCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante20 semanas
No. Parte Newark22AC8246
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $23.640 |
| 5+ | $23.030 |
| 10+ | $22.420 |
| 25+ | $20.120 |
| 50+ | $18.810 |
| 100+ | $18.800 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteFM25V20A-DGCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante20 semanas
No. Parte Newark22AC8246
Hoja de datos técnicos
Densidad de Memoria2
Tamaño de la Memoria0
Configuración de Memoria256K x 8bit
Organización de Memoria0
InterfacesSPI
Tipo de Interfaz IC0
Frecuencia Max de Reloj40
Frecuencia de Reloj0
Tensión de Alimentación Mín.2
Tensión de Alimentación Máx.3.6
Memoria, Tipo0
Estuche / Paquete CIDFN-EP
No. de Pines8Pines
IC, MontajeSurface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.-40
Temperatura de Trabajo Máx.85
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 hours
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
La FM25V20A-DG es una memoria F-RAM serial (SPI) de 2-Mbit (256K × 8). Se trata de una memoria no volátil de 2-Mbit que emplea un proceso ferroeléctrico avanzado. Una memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica o F-RAM no es volátil y realiza lecturas y es
- Escritura NoDelay™, proceso ferroeléctrico avanzado de alta confiabilidad
- Interfaz periférica serial (SPI) muy rápida, hasta una frecuencia de 40MHz
- Reemplazo directo de hardware para flash serial y EEPROM
- Admite modo SPI 0 (0, 0) y modo 3 (1, 1)
- Protección contra escritura sofisticada, protección de hardware mediante el pin de protección contra escritura (WP activo en bajo).
- Protección de software mediante instrucción de deshabilitación de escritura, protección de bloqueo de software para 1/4, 1/2/matriz completa
- Funcionamiento a bajo voltaje: VDD=2V a 3.6V
- La corriente de suministro de VDD es de 0.5mA como a fSCK = 1MHz
- La corriente de espera de VDD es de 100µA típica en nivel bajo activo CS=VDD, todas las demás entradas VSS o VDD, TA=25 °C.
- Paquete DFN de 8 pines, rango de temperatura industrial de -40 °C a +85 °C
Especificaciones técnicas
Densidad de Memoria
2
Configuración de Memoria
256K x 8bit
Interfaces
SPI
Frecuencia Max de Reloj
40
Tensión de Alimentación Mín.
2
Memoria, Tipo
0
No. de Pines
8Pines
Temperatura de Trabajo Mín.
-40
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tamaño de la Memoria
0
Organización de Memoria
0
Tipo de Interfaz IC
0
Frecuencia de Reloj
0
Tensión de Alimentación Máx.
3.6
Estuche / Paquete CI
DFN-EP
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
85
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 hours
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto