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FZ2000R33HE4BOSA1
Módulo IGBT, Interruptor Sencillo, 2 kA, 2.45 V, 150 °C, Module
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteFZ2000R33HE4BOSA1
No. Parte Newark52AH3775
Rango de ProductoIHM-B Series
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2,472.860 |
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Mínimo: 1
Múltiple: 1
$2,472.86
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteFZ2000R33HE4BOSA1
No. Parte Newark52AH3775
Rango de ProductoIHM-B Series
Hoja de datos técnicos
Configuración IGBTSingle Switch
Corriente del Colector Continua2kA
Corriente de Colector DC2kA
Voltaje de Saturación Colector Emisor2.45V
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)2.2V
Disipación de Potencia Pd-
Disipación de Potencia-
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Temperatura de Union, Tj Máx.150°C
Diseño de TransistorModule
Terminación del IGBTTab
Voltaje Máx. Colector a Emisor3.3kV
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo3.3kV
Tecnología IGBTIGBT 4 [Trench/Field Stop]
Montaje de TransistorPanel
Rango de ProductoIHM-B Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
FZ2000R33HE4BOSA1 is a IHM-B module with Trench/Fieldstop IGBT4 and emitter controlled 4 diode. Potential applications includes motor drives, traction drives, UPS systems, medium-voltage converters, high-power converters, active frontend (energy recovery). Qualified for industrial applications according to the relevant tests of IEC 60747, 60749 and 60068.
- AlSiC base plate for increased thermal cycling capability
- High power density, isolated base plate
- High DC stability, high short-circuit capability
- Low switching losses, unbeatable robustness
- Stray inductance module is 6nH (typ)
- Module lead resistance, terminals - chip is 0.08mohm (TC = 25 °C, per switch)
- Collector-emitter voltage is 3300V (Tvj = -40°C)
- Repetitive peak collector current is 4000A (tp limited by Tvj op)
- Gate threshold voltage is 5.80V (typ, IC = 94mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C)
- Temperature under switching conditions range from -40 to 150°C
Especificaciones técnicas
Configuración IGBT
Single Switch
Corriente de Colector DC
2kA
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
2.2V
Disipación de Potencia
-
Temperatura de Union, Tj Máx.
150°C
Terminación del IGBT
Tab
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
3.3kV
Montaje de Transistor
Panel
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Corriente del Colector Continua
2kA
Voltaje de Saturación Colector Emisor
2.45V
Disipación de Potencia Pd
-
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Diseño de Transistor
Module
Voltaje Máx. Colector a Emisor
3.3kV
Tecnología IGBT
IGBT 4 [Trench/Field Stop]
Rango de Producto
IHM-B Series
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto