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GS61008PMRXUSA1
Transistor de nitruro de galio (GaN), 100 V, 90 A, 0.0095 ohm, 8 nC, GaNPX, Montaje Superficial
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Re-reeling (Rollos a medida)42AM5352RL
Cinta adhesiva42AM5352
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Hoja de datos técnicos
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id90
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0095
Carga de Compuerta Típica8
Diseño de TransistorGaNPX
Montaje de TransistorMontaje Superficial
No. de Pines5Pines
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0095
Diseño de Transistor
GaNPX
No. de Pines
5Pines
Calificación
-
Intensidad Drenador Continua Id
90
Carga de Compuerta Típica
8
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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