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IAUT165N08S5N029ATMA2
MOSFET, AEC-Q101, CANAL N, 80V, HSOF
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIAUT165N08S5N029ATMA2Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante20 semanas
No. Parte Newark59AC7031
Rango de ProductoOptiMOS 5
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds80V
Intensidad Drenador Continua Id165A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente2400µohm
Diseño de TransistorHSOF
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3V
Disipación de Potencia167W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoOptiMOS 5
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz0
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
80V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
HSOF
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3V
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
OptiMOS 5
Norma de Cualificación Automotriz
0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
165A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
2400µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
167W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidad del producto