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IMBF170R1K0M1XTMA1
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 5.2 A, 1.7 kV, 0.809 ohm, TO-263 (D2PAK)
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIMBF170R1K0M1XTMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante46 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)78AH7247RL
Cinta adhesiva78AH7247
Rango de ProductoCoolSiC Series
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $6.490 | $6.49 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $6.49 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $6.490 |
| 50+ | $3.370 |
| 100+ | $3.070 |
| 250+ | $2.890 |
| 500+ | $2.710 |
| 1000+ | $2.660 |
| 2500+ | $2.600 |
| 5000+ | $2.550 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIMBF170R1K0M1XTMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante46 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)78AH7247RL
Cinta adhesiva78AH7247
Rango de ProductoCoolSiC Series
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Configuración de Módulo MOSFETSencillo
Tipo de CanalCanal N
Intensidad Drenador Continua Id5.2
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.7
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.809
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
No. de Pines7Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)15
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.5
Disipación de Potencia68
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoCoolSiC Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.7
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.809
No. de Pines
7Pines
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
68
Rango de Producto
CoolSiC Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Configuración de Módulo MOSFET
Sencillo
Intensidad Drenador Continua Id
5.2
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
15
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.5
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto