Imprimir página
IMBG120R060M1HXTMA1
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 36 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK)
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIMBG120R060M1HXTMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante32 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)92AH5309RL
Cinta adhesiva92AH5309
Rango de ProductoCoolSiC Mosfet 1200V G2
Su número de pieza
2,759 En Stock
¿Necesita más?
Entrega en 4-6 días hábiles(UK stock)
Haga el pedido antes de las 6 p.m. EST para un envío normal
Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $10.260 | $10.26 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $10.26 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $10.260 |
| 50+ | $6.820 |
| 100+ | $5.770 |
| 250+ | $5.530 |
| 500+ | $5.350 |
| 1000+ | $5.160 |
| 2500+ | $5.060 |
| 5000+ | $4.960 |
nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIMBG120R060M1HXTMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante32 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)92AH5309RL
Cinta adhesiva92AH5309
Rango de ProductoCoolSiC Mosfet 1200V G2
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Intensidad Drenador Continua Id36
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.06
Resistencia de Activación Rds(on)0.06ohm
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
No. de Pines7Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.5
Disipación de Potencia181
Disipación de Potencia Pd181W
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoCoolSiC Mosfet 1200V G2
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2
Resistencia de Activación Rds(on)
0.06ohm
No. de Pines
7Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.5
Disipación de Potencia Pd
181W
Rango de Producto
CoolSiC Mosfet 1200V G2
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
36
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.06
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
18
Disipación de Potencia
181
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto