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IMCQ120R026M2HXTMA1
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 82 A, 1.2 kV, 0.0254 ohm, HDSOP
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIMCQ120R026M2HXTMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante42 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)27AM0099RL
Cinta adhesiva27AM0099
Rango de ProductoCoolSiC Series
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474 En Stock
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $14.870 | $14.87 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $14.87 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $14.870 |
| 50+ | $10.410 |
| 100+ | $8.620 |
| 250+ | $8.550 |
| 500+ | $8.380 |
| 1000+ | $8.220 |
| 2500+ | $8.050 |
| 5000+ | $7.870 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIMCQ120R026M2HXTMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante42 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)27AM0099RL
Cinta adhesiva27AM0099
Rango de ProductoCoolSiC Series
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSencillo
Tipo de CanalCanal N
Intensidad Drenador Continua Id82
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0254
Diseño de TransistorHDSOP
No. de Pines22Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5.1
Disipación de Potencia405
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoCoolSiC Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
IMCQ120R026M2HXTMA1 is a N-channel CoolSiC™ 1200V SiC MOSFET G2, ideal for a wide range of applications such as solid-state circuit breakers and relays, EV charging stations, online and industrial UPS systems, string inverters, general-purpose drives (GPD), commercial air vehicles (CAV), and servo drives.
- VDSS = 1200 V at Tvj = 25°C
- IDDC = 58A at TC = 100°C
- RDS(on) = 25.4mohm at VGS = 18V, Tvj = 25°C
- Very low switching losses
- Overload operation up to Tvj = 200°C
- Short circuit withstand time of 2µs
- Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) = 4.2 V
- Robust against parasitic turn on, 0 V turn-off gate voltage can be applied
- Robust body diode for hard commutation
- .XT interconnection technology for best-in-class thermal performance
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Sencillo
Intensidad Drenador Continua Id
82
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0254
No. de Pines
22Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5.1
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2
Diseño de Transistor
HDSOP
Voltaje de Prueba Rds(on)
18
Disipación de Potencia
405
Rango de Producto
CoolSiC Series
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto