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IMDQ65R015M2HXUMA1
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 94 A, 650 V, 0.0132 ohm, HDSOP
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIMDQ65R015M2HXUMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante51 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)25AM8245RL
Cinta adhesiva25AM8245
Rango de ProductoCoolSiC G2 Series
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651 En Stock
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $19.280 | $19.28 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $19.28 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $19.280 |
| 50+ | $14.310 |
| 100+ | $13.300 |
| 250+ | $13.010 |
| 500+ | $12.720 |
| 1000+ | $12.420 |
| 2500+ | $12.180 |
| 5000+ | $11.930 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIMDQ65R015M2HXUMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante51 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)25AM8245RL
Cinta adhesiva25AM8245
Rango de ProductoCoolSiC G2 Series
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSencillo
Tipo de CanalCanal N
Intensidad Drenador Continua Id94
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0132
Diseño de TransistorHDSOP
No. de Pines22Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)20
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5.6
Disipación de Potencia499
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoCoolSiC G2 Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
IMDQ65R015M2HXUMA1 is a CoolSiC™ MOSFET 650V Generation 2 (G2) (G2) in Q-DPAK package. It utilizes the G2 superior switching performance, which also provides advantages of top-side cooling. This innovation enhances the current offerings of CoolSiC™ in TOLT and CoolMOS™ in Q-DPAK packages, facilitating comprehensive system-level enhancements, including reductions in board space and BOM costs, as well as maximization of system power density. Typical applications include SMPS, solar PV inverters, energy storage and battery formation, UPS, EV charging infrastructure and motor drives.
- 14.5mohm RDs(on) typical
- Ultra‑low switching losses
- Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) = 4.5V
- Robust against parasitic turn‑on even with 0V turn‑off gate voltage
- Flexible driving voltage and compatible with bipolar driving scheme
- Robust body diode operation under hard commutation events
- .XT interconnection technology for best‑in‑class thermal performance
- Enables high efficiency and high power density designs
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Sencillo
Intensidad Drenador Continua Id
94
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0132
No. de Pines
22Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5.6
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650
Diseño de Transistor
HDSOP
Voltaje de Prueba Rds(on)
20
Disipación de Potencia
499
Rango de Producto
CoolSiC G2 Series
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto