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IMT65R015M2HXUMA1
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 131 A, 650 V, 0.0132 ohm, HSOF
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIMT65R015M2HXUMA1Copiar
No. Parte Newark26AM1121
Rango de ProductoCoolSiC Gen 2 Series
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50 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $16.730 |
| 10+ | $12.940 |
| 25+ | $12.300 |
| 50+ | $11.670 |
| 100+ | $11.040 |
| 250+ | $10.910 |
| 500+ | $10.770 |
| 1000+ | $10.640 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$16.73
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIMT65R015M2HXUMA1Copiar
No. Parte Newark26AM1121
Rango de ProductoCoolSiC Gen 2 Series
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSencillo
Tipo de CanalCanal N
Intensidad Drenador Continua Id131
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0132
Diseño de TransistorHSOF
No. de Pines8Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)20
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5.6
Disipación de Potencia535
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoCoolSiC Gen 2 Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Sencillo
Intensidad Drenador Continua Id
131
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0132
No. de Pines
8Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5.6
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650
Diseño de Transistor
HSOF
Voltaje de Prueba Rds(on)
20
Disipación de Potencia
535
Rango de Producto
CoolSiC Gen 2 Series
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto