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IMW120R040M1HXKSA1
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 55 A, 1.2 kV, 0.039 ohm, TO-247
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIMW120R040M1HXKSA1Copiar
No. Parte Newark32AK4932
Rango de ProductoCoolSiC Trench Series
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $20.960 |
| 10+ | $18.690 |
| 25+ | $16.430 |
| 50+ | $14.170 |
| 100+ | $13.410 |
| 480+ | $12.680 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIMW120R040M1HXKSA1Copiar
No. Parte Newark32AK4932
Rango de ProductoCoolSiC Trench Series
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id55
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.039
Diseño de TransistorTO-247
No. de Pines3Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.2
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia227
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoCoolSiC Trench Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.039
No. de Pines
3Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.2
Disipación de Potencia
227
Rango de Producto
CoolSiC Trench Series
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
55
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
18
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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