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IMW120R140M1HXKSA1
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 19 A, 1.2 kV, 0.14 ohm, TO-247
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIMW120R140M1HXKSA1
No. Parte Newark29AH1034
Rango de ProductoCoolSiC
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Configuración de Módulo MOSFETSencillo
Tipo de CanalCanal N
Intensidad Drenador Continua Id19A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2kV
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.14ohm
Diseño de TransistorTO-247
Núm. de Contactos3Pines
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)18V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.5V
Disipación de Potencia94W
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoCoolSiC
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Tipo de Canal
Canal N
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.14ohm
Núm. de Contactos
3Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)
18V
Disipación de Potencia
94W
Rango de Producto
CoolSiC
Configuración de Módulo MOSFET
Sencillo
Intensidad Drenador Continua Id
19A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2kV
Diseño de Transistor
TO-247
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.5V
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza IMW120R140M1HXKSA1
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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