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IMZ120R045M1XKSA1
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 52 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-247
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIMZ120R045M1XKSA1
No. Parte Newark39AH8889
Rango de ProductoCoolSiC
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id52A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2kV
Resistencia de Activación Rds(on)0.045ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.045ohm
Diseño de TransistorTO-247
Núm. de Contactos4Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)15V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.5V
Disipación de Potencia Pd228W
Disipación de Potencia228W
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoCoolSiC
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2kV
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.045ohm
Núm. de Contactos
4Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.5V
Disipación de Potencia
228W
Rango de Producto
CoolSiC
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
52A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.045ohm
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
15V
Disipación de Potencia Pd
228W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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